Etude de la Robustesse de transistors JFET SiC en régimes de court-circuit
BOUGHRARA ; MOUMEN ; LEFEBVRE ; KHATIR ; FRIEDRICHS
Type de document
COMMUNICATION AVEC ACTES NATIONAL (ACTN)
Langue
francais
Auteur
BOUGHRARA ; MOUMEN ; LEFEBVRE ; KHATIR ; FRIEDRICHS
Résumé / Abstract
Cet article présente des résultats d'essai montrant la robustesse de transistors JFET SiC en régime de limitation de courant. La limitation étant thermique, des travaux de modélisation électrothermique sont présentés afin de chercher à estimer la température du cristal au moment de la défaillance. Pour cela, nous avons cherché à relier le courant de saturation à la température, ce que nous avons pu faire sur une large gamme de température (de 25 à 500°C) en extrapolant des résultats de caractérisation obtenus à température ambiante élevée (350°C) à l'aide des travaux de modélisation thermique. Ces travaux montrent l'exceptionnelle robustesse des transistors JFET SiC en régime de court-circuit (ou de limitation de courant.
