Comportement de transistors IGBT en régimes répétitifs de courts-circuits
KHATIR ; LEFEBVRE ; SAINT-EVE
Type de document
ARTICLE A COMITE DE LECTURE NON REPERTORIE DANS BDI (ACLN)
Langue
francais
Auteur
KHATIR ; LEFEBVRE ; SAINT-EVE
Résumé / Abstract
L'objet de cet article est l'étude du comportement de différents types de transistors IGBT (de technologies à base homogène (NPT) et a base epitaxiée (PT)), soumis à des régimes répétitifs de courts-circuits, pour différentes énergies de court-circuit, et differentes températures de boitier (25°c et 125°c). Nous mettons en évidence, pour des conditions expérimentales données, la présence d'une énergie critique en-dessous de laquelle les IGBT sont capables de supporter un très grand nombre de courts-circuits sans dégradation apparente de leurs caractéristiques.
Source
RS Série RIGE (revue internationale de génie électrique), num. vol7, n3-4, P279-96 p.
Editeur
Edition Hermes
