ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE EN HAUTE TEMPERATURE
LOCATELLI
Type de document
RAPPORT DE RECHERCHE
Langue
francais
Auteur
LOCATELLI
Résumé / Abstract
LE DOMAINE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE HAUTE TEMPERATURE CONCERNE A LA FOIS LES APPLICATIONS DEVANT FONCTIONNER EN MILIEU A TEMPERATURE AMBIANTE ELEVEE, ET LES APPLICATIONS EN AMBIANCE NORMALE POUR LESQUELLES UNE AUGMENTATION DE LA PUISSANCE MASSIQUE ET VOLUMIQUE DES EQUIPEMENTS EST SOUHAITEE. DANS CE CONTEXTE, NOUS NOUS SOMMES PLUS PARTICULIEREMENT ATTACHES A L'ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE DANS LA GAMME DE TEMPERATURES ALLANT DE 30C A 260C. ONT ETE SUCCESSIVEMENT ETUDIEES ET ANALYSEES D'UN POINT DE VUE PHYSIQUE LES EVOLUTIONS EN TEMPERATURE DES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE, AINSI QUE LES CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION SUR CHARGE RESISTIVE ET INDUCTIVE. UNE EVALUATION DE LA DISSIPATION DE PUISSANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE JONCTION DU COMPOSANT A ETE EFFECTUEE POUR LES DIFFERENTES PHASES DE SON FONCTIONNEMENT. AYANT ECARTE TOUT PROBLEME RELATIF AU VIEILLISSEMENT ET A LA FIABILITE, CETTE ETUDE A MONTRE QUE LA FONCTIONNALITE GLOBALE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE EST MAINTENUE DANS TOUT L'INTERVALLE DE TEMPERATURE, MALGRE UNE DIMINUTION SENSIBLE DE CES PERFORMANCES. L'AUGMENTATION DES PERTES DE PUISSANCE LORSQUE LA TEMPERATURE CROIT ENTRAINE UNE LIMITATION DE L'INTERET D'UN FONCTIONNEMENT A TEMPERATURE DE JONCTION ELEVEE. LE SILICIUM, SEMICONDUCTEUR EXCLUSIF DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE MODERNE, EST DIRECTEMENT MIS EN CAUSE, VICTIME DES DEPENDANCES EN TEMPERATURE DE SA CONCENTRATION INTRINSEQUE DE PORTEURS ET DE LA MOBILITE DES ELECTRONS ET DES TROUS. DE L'ANALYSE THEORIQUE DU COMPORTEMENT A HAUTE TEMPERATURE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE, ET DE LA CONNAISSANCE DES PROPRIETES PHYSIQUES DU CARBURE DE SILICIUM, SONT DEDUITS, POUR FINIR, LES BENEFICES A ATTENDRE D'UNE SUBSTITUTION DU SILICIUM PAR CE NOUVEAU SEMICONDUCTEUR.
